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晶能光电:硅衬底LED项目一期竣工投产
2008/7/16/11:03  来源:大江网

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    近日,坐落于南昌高新区艾溪湖畔的晶能光电(江西)有限公司举行了盛大的“硅衬底发光二极管材料及器件项目一期”竣工投产仪式。面对宏大的场面,曾参与许多重大项目投产仪式的有关媒体当即感叹:在赛维LDK光伏项目万钧之势下能豪不示弱,与之相提并论的,在全省也就只有晶能光电“硅衬底发光二极管材料及器件项目一期”了。

    曾几何时,新余赛维LDK光伏项目以巨大投资、宏大的场面与无限的前景,吸引着媒体的眼球,一时间成为全省最耀眼的“明星”项目。今日,当我们看到晶能光电时,我们也会发现,赛维LDK项目所具有的“明星潜质”,晶能光电LED项目无一不有。

    从技术上讲,晶能光电以南昌大学江凤益教授“硅衬底发光二极管材料及器件”技术为依托,其拥有的硅衬底氮化镓基LED材料与器件技术是一种改写氮化镓基LED历史的颠覆性新技术,具有原创技术产权,已获得公开和申请国际国内发明专利42项。在GaN基半导体发光材料领域,晶能光电是继日本日亚、美国GREE之后第三家具有原创知识产权的半导体发光材料与器件公司。

    “硅衬底蓝光二极管材料及器件”是一种新型发光材料与器件,即用“硅”代替传统的“蓝宝石”或“碳化硅”作衬底制造发光二极管材料及器件。由于用这种衬底生产的器件成本比“蓝宝石”为衬底的器件或“碳化硅”为衬底的器件低得多,将是目前市场上“蓝宝石”或“碳化硅”衬底发光材料与器件产品的有力竞争者,具有较强的市场竞争力。据预测,2006年全球的高亮度发光二极管的销售额将达到40亿美元至50亿美元,到2010年末,这一数字将达到100亿美元。

    从投入上看,2007年实际投资5200万美元,预计2008年再投资2.5亿元完成一期建设,实现年生产能力达到30亿粒LED芯片;二期投资9亿元,将实现年产100亿粒蓝、绿光LED芯片,力争成为全球具有竞争力的蓝绿色发光二极管生产企业之一;三期投资15亿元,建设LED大功率照明应用产品及产业集群,吸引全球半导体上下游配套产业在南昌集聚,有望形成一个产值数十亿元的产业集群。

    此外,晶能光电目前生产的芯片具有三大优势。具有原创技术产权:产品可销往国际市场,不受国际专利限制;具有优良的性能:产品抗静电性能好,寿命长,可承受的电流密度高;器件封装工艺简单:芯片为上下电极,单引线垂直结构,在器件封装时只需要简单电极线,简化了封装工艺,节约了封装成本。

    从市场前景分析,LED作为新兴半导体产品,市场前景极为广阔。在各类显示屏、室外景观照明、手机背光、车用照明、通用照明市场、交通信号灯等方面具有广泛的作用。长远来看,半导体照明将成为LED最主要的应用,2010年全球照明市场规模预计达到1000亿美元,而LED光源由于其节能减排等众多优势将逐步取代白炽灯等其他光源,最终占领这一巨大的市场。

 

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